為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品多樣性,提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)性,海太半導(dǎo)體模組工廠通過(guò)各項(xiàng)升級(jí)改造和人員培訓(xùn),成功導(dǎo)入新一代DDR5內(nèi)存條,并于近日完成行業(yè)巨頭SK Hynix的嚴(yán)格測(cè)試和產(chǎn)品認(rèn)證。
此次DDR5的成功導(dǎo)入,標(biāo)志著海太半導(dǎo)體突破技術(shù)難關(guān),成功掌握了DDR5實(shí)裝測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)和全套工藝流程。DDR5是DRAM中的一種DDR(Double Data Rate)系列最新版本的內(nèi)存,相比DDR4速度更快、功耗更低,而且容量更大(帶寬速度提高36%,工作頻率最高頻率可達(dá)6400MHz,但功耗卻降低至1.1V),業(yè)界將DDR5稱(chēng)為下一代DRAM。未來(lái),海太半導(dǎo)體將圍繞自我優(yōu)勢(shì)持續(xù)發(fā)力,瞄準(zhǔn)“針尖”領(lǐng)域,展開(kāi)核心技術(shù)攻關(guān)、關(guān)鍵產(chǎn)品品質(zhì)提升,努力以技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
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